為什么在通用變頻器中SiC碳化硅MOSFET會(huì )逐步取代IGBT！ 使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅通用變頻器！-傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo) 使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升級傳統IGBT通用變頻器，實(shí)現更高的通用變頻器高功率密度，通用變頻器高溫環(huán)境應用！通用變頻器低電機噪聲控制！取得通用變頻器能耗與性能的更優(yōu)權衡！   隨著(zhù)銅價(jià)暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點(diǎn)，使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著(zhù)提頻降低系統綜合成本（電感磁性元件，散熱系統，整機重量），電力電子系統的全碳SiC時(shí)代，未來(lái)已來(lái)！傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)基本公司SiC碳化硅MOSFET！   傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場(chǎng)的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!     基本公司SiC碳化硅MOSFET單管適用于通用變頻器，比如氣體保護焊，如氬弧焊、二氧化碳氣體保護焊，手工弧焊等。   雖然傳統IGBT器件在其低損耗，高開(kāi)關(guān)頻率，高功率密度特征上持續提升，但是由于自身特點(diǎn)的限制，在部分溫度高，安裝體積緊湊，電機電磁噪聲敏感的工業(yè)傳動(dòng)場(chǎng)合，已無(wú)法適應高功率密度、高溫環(huán)境、低電機噪聲控制的應用要求，在一定程度上IGBT進(jìn)入發(fā)展瓶頸期。使用基本公司SiC碳化硅MOSFET替代IGBT已經(jīng)成為行業(yè)潮流! SiC碳化硅MOSFET通用變頻器支持開(kāi)環(huán)矢量和閉環(huán)矢量?jì)煞N控制方式，載波頻率達到100kHz, 輸出頻率達到10kHz，采用電機諧波電流控制技術(shù)，優(yōu)化轉矩脈動(dòng)控制，實(shí)現更低電機轉矩脈動(dòng)及電機電磁噪聲，DPWM /CPWM智能切換動(dòng)態(tài)載波調制，可以取得能耗與性能的更優(yōu)權衡。功率器件死區時(shí)間控制方面，偉創(chuàng )變頻器更小死區時(shí)間控制在300ns左右，大幅提升輸出電壓利用率提升10%。 SiC碳化硅MOSFET通用變頻器全功率段采用碳化硅單管及碳化硅單管并聯(lián)方案，以獨特軟/硬件配合動(dòng)態(tài)控制方法，實(shí)現單管之間有效均流，在碳化硅MOSFET功率器件異常情況（過(guò)流，短路）下快速保護，通過(guò)對變頻器中SiC碳化硅MOSFET功率器件驅動(dòng)參數優(yōu)化，器件與結構布局優(yōu)化，解決變頻器實(shí)際使用過(guò)程中（由于SiC碳化硅MOSFET高dv/dt產(chǎn)生的變頻器自身及配套使用設計）的電磁干擾問(wèn)題. SiC碳化硅MOSFET變頻器可以通過(guò)提高運行載波，節省輸出濾波裝置或縮小電機體積等方式，有效改善現有高速電機驅動(dòng)產(chǎn)品的痛點(diǎn)。隨著(zhù)高速空浮、磁浮電機的應用普及，SiC碳化硅MOSFET變頻器憑借技術(shù)的優(yōu)勢將迅速占領(lǐng)該類(lèi)產(chǎn)品應用市場(chǎng)。   VVVF變頻、矢量控制變頻、直接轉矩控制變頻都是交—直—交變頻中的一種。其共同缺點(diǎn)是輸入功率因數低，諧波電流大，直流電路需要大的儲能電容，再生能量又不能反饋回電網(wǎng)，即不能進(jìn)行四象限運行。為此，矩陣式交—交變頻應運而生。由于矩陣式交—交變頻省去了中間直流環(huán)節，從而省去了體積大、價(jià)格貴的電解電容。它能實(shí)現功率因數為1，輸入電流為正弦且能四象限運行，系統的功率密度大。 矩陣變頻具有較大優(yōu)勢:一方面矩陣變換器沒(méi)有儲能元件,體積可以比同樣容量的兩級結構變流器小;另一方面矩陣變頻不需要電解電容器,也就不需要考慮電解電容壽命問(wèn)題。   采用基本公司SiC碳化硅MOSFET開(kāi)發(fā)高功率密度變頻器，除通用變頻器一般驅動(dòng)功能外，同時(shí)具備通用變頻器高電力品質(zhì)、能量回生、高功率密度三個(gè)特性。 采用基本公司SiC碳化硅MOSFET的矩陣變頻器為了挑戰降低諧波、改善功因及提升功率密度，具有下列關(guān)鍵技術(shù) 1. 高頻SiC碳化硅MOSFET驅控電路技術(shù)，提升矩陣變頻器頻率由(8kHz-->50kHz)。 2. 改善電力品質(zhì)，采用DMCSVM換動(dòng)態(tài)載波調制，降低諧波(33%-->7%)，減少電力損失。 3. 改善功率因數(0.75-->0.98)，提升電力線(xiàn)上所有設備的壽命。 4. 采用基本公司SiC碳化硅MOSFET的矩陣變頻器具有雙向能量轉換特性，電機煞車(chē)時(shí)，可將能量直接回饋至電網(wǎng)，節能效果提升20%以上，采用基本公司SiC碳化硅MOSFET的矩陣變頻器在電梯應用能量回生達65%。 5. 采用基本公司SiC碳化硅MOSFET的矩陣變頻器小型化功率底座、散熱及一體化設計，整機功率密度可達4kW/L，充分響應節能減排。   采用基本公司SiC碳化硅MOSFET功率器件的高效、高可靠性變頻器，擺脫長(cháng)期以來(lái)依賴(lài)于國外器件批發(fā)商的產(chǎn)業(yè)瓶頸，實(shí)現碳化硅MOSFET功率器件的國產(chǎn)化替代貢獻自己的行業(yè)力量。     IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來(lái)越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來(lái)越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實(shí)現半導體總功率損耗的顯著(zhù)降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開(kāi)關(guān)損耗，從而提高開(kāi)關(guān)頻率。進(jìn)一步的，可以?xún)?yōu)化濾波器組件，相應的損耗會(huì )下降，從而全面減少系統損耗。通過(guò)采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開(kāi)關(guān)頻率提5倍（實(shí)現顯著(zhù)的濾波器優(yōu)化），同時(shí)保持更高結溫低于更大規定值。   為了保持電力電子系統競爭優(yōu)勢，同時(shí)也為了使更終用戶(hù)獲得經(jīng)濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應用功率轉換應用的優(yōu)勢所在。隨著(zhù)IGBT技術(shù)到達發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類(lèi)型電力電子應用的主流趨勢。   傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)基本™（BASiC Semiconductor）碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本™碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本™單管SiC碳化硅MOSFET，BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本™I型三電平IGBT模塊，BASiC基本™T型SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本™混合SiC-IGBT單管，BASiC基本™混合SiC-IGBT模塊，碳化硅(SiC)MOSFET專(zhuān)用雙通道隔離驅動(dòng)芯片BTD25350，單通道隔離驅動(dòng)芯片BTD5350,雙通道隔離驅動(dòng)芯片BTD21520,單通道隔離驅動(dòng)芯片（帶VCE保護）BTD3011,BASiC基本™混合SiC-IGBT三電平模塊應用于光伏逆變器，雙向AC-DC電源，戶(hù)用光伏逆變器，戶(hù)用光儲一體機，儲能變流器，儲能PCS,雙向LLC電源模塊，儲能PCS-Buck-Boost電路，光儲一體機,PCS雙向變流器，三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓撲等新能源領(lǐng)域。在光伏逆變器、光儲一體機、儲能變流器PCS、OBC車(chē)載充電器，熱管理電動(dòng)壓縮機驅動(dòng)器，射頻電源，PET電力電子變壓器，氫燃料空壓機驅動(dòng)，大功率工業(yè)電源，工商業(yè)儲能變流器，變頻器，變槳伺服驅動(dòng)輔助電源，高頻逆變焊機，高頻伺服驅動(dòng)，AI服務(wù)器電源，算力電源，數據中心電源，機房UPS等領(lǐng)域與客戶(hù)戰略合作，傾佳電子（Changer Tech）全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展！   傾佳電子（Changer Tech）-專(zhuān)業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN，驅動(dòng)IC)分銷(xiāo)商，聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數字化轉型三大方向，致力于服務(wù)中國工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈。在新型能源體系的發(fā)展趨勢場(chǎng)景下，融合數字技術(shù)、電力電子技術(shù)、熱管理技術(shù)和儲能管理技術(shù)，以實(shí)現發(fā)電的低碳化、用能的電氣化和用電的高效化，以及“源、網(wǎng)、荷、儲、車(chē)”的協(xié)同發(fā)展。傾佳電子（Changer Tech）-以技術(shù)創(chuàng )新為導向，將不斷創(chuàng )新技術(shù)和產(chǎn)品，堅定不移與產(chǎn)業(yè)和合作伙伴攜手，積極參與數字能源產(chǎn)業(yè)生態(tài)，為客戶(hù)提供高品質(zhì)汽車(chē)智能互聯(lián)連接器與線(xiàn)束，新能源汽車(chē)連接器，新能源汽車(chē)高壓連接器與線(xiàn)束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，創(chuàng )新型車(chē)規級互聯(lián)產(chǎn)品，包括線(xiàn)對板、板對板、輸入輸出、電源管理和FFC-FPC連接器，涵蓋2級充電站和可在30分鐘內為EV電池充滿(mǎn)電的3級超快速充電站的高能效電源連接器，用于地下無(wú)線(xiàn)充電的IP67級密封連接器。以及以技術(shù)創(chuàng )新為導向的各類(lèi)功率半導體器件：車(chē)規碳化硅(SiC)MOSFET，大容量RC-IGBT模塊，碳化硅(SiC)MOSFET模塊，IGBT模塊，國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET，IPM模塊，IGBT單管，混合IGBT單管，三電平IGBT模塊，混合IGBT模塊，光伏MPPT碳化硅MOSFET，伺服驅動(dòng)SiC碳化硅MOSFET，逆變焊機國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET，OBC車(chē)載SiC碳化硅MOSFET，儲能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊，充電樁電源模塊碳化硅MOSFET，國產(chǎn)氮化鎵GaN，隔離驅動(dòng)IC等產(chǎn)品，傾佳電子（Changer Tech）全面服務(wù)于中國新能源汽車(chē)行業(yè)，新能源汽車(chē)電控系統，電力電子裝備，新能源汽車(chē)充電樁系統，全液冷超充，高功率密度風(fēng)冷充電模塊，液冷充電模塊，歐標充電樁，車(chē)載DCDC模塊，國網(wǎng)三統一充電模塊光儲變流器，分布式能源、虛擬電廠(chǎng)、智能充電網(wǎng)絡(luò )、V2X、綜合智慧能源、智能微電網(wǎng)智能光儲，智能組串式儲能等行業(yè)應用，傾佳電子（Changer Tech）為實(shí)現零碳發(fā)電、零碳數據中心、零碳網(wǎng)絡(luò )、零碳家庭等新能源發(fā)展目標奮斗，從而為實(shí)現一個(gè)零碳地球做出貢獻，邁向數字能源新時(shí)代！Changer Tech strives to achieve new energy development goals such as zero-carbon power generation, zero-carbon data centers, zero-carbon networks, and zero-carbon homes, thereby contributing to the realization of a zero-carbon earth and moving towards a new era of digital energy!