基本™（BASiC Semiconductor）PcoreTM2 E2B 全碳化硅半橋MOSFET模塊-工業(yè)級全碳化硅功率模塊-傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo) PcoreTM2 E2B 全碳化硅半橋MOSFET模塊BMF240R12E2G3 BMF240R12E2C4-傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo) 適用于電動(dòng)垂直起降飛行器eVTOL（electric Vertical Take-off and Landing，即電動(dòng)垂直起降飛行器）SiC碳化硅MOSFET功率模塊，飛行汽車(chē)(eVTOL)汽車(chē)級全碳化硅功率模塊，eVTOL電機驅動(dòng)碳化硅功率模塊-傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo) 基本™（BASiC Semiconductor）SOT227碳化硅MOSFET模塊B2M012120N 適用于液冷大型儲能集中式PCS的全碳化硅MOSFET功率模塊-傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo) 適用于液冷充電樁電源的基本™（BASiC Semiconductor）SiC碳化硅MOSFET模塊-傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo) 適用于三相三電平維也納PFC的基本™（BASiC Semiconductor）SiC碳化硅MOSFET模塊-傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)   IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來(lái)越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來(lái)越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實(shí)現半導體總功率損耗的顯著(zhù)降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開(kāi)關(guān)損耗，從而提高開(kāi)關(guān)頻率。進(jìn)一步的，可以?xún)?yōu)化濾波器組件，相應的損耗會(huì )下降，從而全面減少系統損耗。通過(guò)采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開(kāi)關(guān)頻率提5倍（實(shí)現顯著(zhù)的濾波器優(yōu)化），同時(shí)保持更高結溫低于更大規定值。   為了保持電力電子系統競爭優(yōu)勢，同時(shí)也為了使更終用戶(hù)獲得經(jīng)濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應用功率轉換應用的優(yōu)勢所在。隨著(zhù)IGBT技術(shù)到達發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類(lèi)型電力電子應用的主流趨勢。   傾佳電子（Changer Tech）致力于國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場(chǎng)的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!   對于通用應用，SiC 功率器件可以替代 Si IGBT，從而將開(kāi)關(guān)損耗降低高達 70% 至 80%，具體取決于轉換器和電壓和電流水平。IGBT 相關(guān)的較高損耗可能成為一個(gè)重要的考慮因素。熱管理會(huì )增加使用 IGBT 的成本，而其較慢的開(kāi)關(guān)速度會(huì )增加電容器和電感器等無(wú)源元件的成本。從整體系統成本來(lái)看SiC MOSFET加速替代IGBT已經(jīng)成為各類(lèi)新的電力電子設計中的主流趨勢。SiC MOSFET 更耐熱失控。碳化硅導熱性更強，可實(shí)現更好的設備級散熱和穩定的工作溫度。   Si IGBT 的一個(gè)顯著(zhù)缺點(diǎn)是它們極易受到熱失控的影響。當器件溫度不受控制地升高時(shí)，就會(huì )發(fā)生熱失控，導致器件發(fā)生故障并更終失效。在高電流、高電壓和高工作條件很常見(jiàn)的電機驅動(dòng)應用中，例如電動(dòng)汽車(chē)或制造業(yè)，熱失控可能是一個(gè)重大的設計風(fēng)險。SiC MOSFET 更適合溫度較高的環(huán)境條件空間，例如汽車(chē)和工業(yè)應用。此外，鑒于其導熱性，SiC MOSFET 可以消除對額外冷卻系統的需求，從而有可能減小整體系統尺寸并降低系統成本。由于 SiC MOSFET 的工作開(kāi)關(guān)頻率比 Si IGBT 高得多，因此它們非常適合需要精確電機控制的應用。高開(kāi)關(guān)頻率在自動(dòng)化制造中至關(guān)重要，其中高精度伺服電機用于工具臂控制、精密焊接和精確物體放置。   SiC 功率器件的卓越材料特性使這些器件能夠以更快的開(kāi)關(guān)速度、更低的開(kāi)關(guān)損耗和更薄的有源區運行，從而實(shí)現效率更高、開(kāi)關(guān)頻率更高、更節省空間的設計。因此，SiC MOSFET 正成為電源轉換應用中優(yōu)于傳統硅（IGBT,MOSFET）的*。     碳化硅（SiC）功率模塊在工業(yè)市場(chǎng)有許多應用。這些模塊通常用于提高電能轉換和控制系統的效率，同時(shí)在高溫和高頻率環(huán)境下表現良好。以下是碳化硅功率模塊在工業(yè)市場(chǎng)中的一些主要應用： 電機驅動(dòng)和控制： 碳化硅功率模塊可用于工業(yè)電機驅動(dòng)系統，提供高效率和高功率密度，降低能源損耗。 電源和逆變器： 在工業(yè)設備中，SiC功率模塊可用于設計高效率的電源和逆變器，適用于工業(yè)自動(dòng)化、機床和其他高功率應用。 可再生能源系統： 碳化硅功率模塊在太陽(yáng)能逆變器和風(fēng)力發(fā)電系統中得到廣泛應用，提高了能源轉換效率。 焊接設備： 在工業(yè)焊接系統中，SiC功率模塊可以提供更高的功率密度、更高的頻率響應和更高的效率。 電力傳輸與分配： SiC功率模塊可用于電力輸配系統，提供高效的電力轉換和分配。 電氣化交通： 在高速列車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)中，碳化硅功率模塊可以提供更高的功率密度，減輕設備重量，提高系統效率。 工業(yè)加熱系統： 在高溫加熱系統中，SiC功率模塊可以提供更高的溫度穩定性和更高的效率。 這些應用表明碳化硅功率模塊在工業(yè)環(huán)境中能夠提供更高效、更可靠的解決方案，有助于提高系統性能并減少能源消耗。   對于通用應用，SiC 功率器件可以替代 Si IGBT，從而將開(kāi)關(guān)損耗降低高達 70% 至 80%，具體取決于轉換器和電壓和電流水平。IGBT 相關(guān)的較高損耗可能成為一個(gè)重要的考慮因素。熱管理會(huì )增加使用 IGBT 的成本，而其較慢的開(kāi)關(guān)速度會(huì )增加電容器和電感器等無(wú)源元件的成本。從整體系統成本來(lái)看SiC MOSFET加速替代IGBT已經(jīng)成為各類(lèi)新的電力電子設計中的主流趨勢。SiC MOSFET 更耐熱失控。碳化硅導熱性更強，可實(shí)現更好的設備級散熱和穩定的工作溫度。   Si IGBT 的一個(gè)顯著(zhù)缺點(diǎn)是它們極易受到熱失控的影響。當器件溫度不受控制地升高時(shí)，就會(huì )發(fā)生熱失控，導致器件發(fā)生故障并更終失效。在高電流、高電壓和高工作條件很常見(jiàn)的電機驅動(dòng)應用中，例如電動(dòng)汽車(chē)或制造業(yè)，熱失控可能是一個(gè)重大的設計風(fēng)險。SiC MOSFET 更適合溫度較高的環(huán)境條件空間，例如汽車(chē)和工業(yè)應用。此外，鑒于其導熱性，SiC MOSFET 可以消除對額外冷卻系統的需求，從而有可能減小整體系統尺寸并降低系統成本。由于 SiC MOSFET 的工作開(kāi)關(guān)頻率比 Si IGBT 高得多，因此它們非常適合需要精確電機控制的應用。高開(kāi)關(guān)頻率在自動(dòng)化制造中至關(guān)重要，其中高精度伺服電機用于工具臂控制、精密焊接和精確物體放置。   SiC 功率器件的卓越材料特性使這些器件能夠以更快的開(kāi)關(guān)速度、更低的開(kāi)關(guān)損耗和更薄的有源區運行，從而實(shí)現效率更高、開(kāi)關(guān)頻率更高、更節省空間的設計。因此，SiC MOSFET 正成為電源轉換應用中優(yōu)于傳統硅（IGBT,MOSFET）的*。     BASiC基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET兩大主要特色：   1.出類(lèi)拔萃的可靠性：相對競品較為充足的設計余量來(lái)確保大規模制造時(shí)的器件可靠性。 BASiC基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列擊穿電壓BV值實(shí)測在1700V左右，高于市面主流競品，擊穿電壓BV設計余量可以抵御碳化硅襯底外延材料及晶圓流片制程的擺動(dòng)，能夠確保大批量制造時(shí)的器件可靠性，這是BASiC基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET更關(guān)鍵的品質(zhì). BASiC基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET雪崩耐量裕量相對較高，也增強了在電力電子系統應用中的可靠性。   2.可圈可點(diǎn)的器件性能：同規格較小的Crss帶來(lái)出色的開(kāi)關(guān)性能。 BASiC基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET反向傳輸電容Crss 在市面主流競品中是比較小的，帶來(lái)關(guān)斷損耗Eoff也是非常出色的，優(yōu)于部分海外競品，特別適用于LLC應用，典型應用如充電樁電源模塊后級DC-DC應用。   Ciss：輸入電容（Ciss＝Cgd＋Cgs） ⇒柵極-漏極和柵極-源極電容之和：它影響延遲時(shí)間；Ciss越大，延遲時(shí)間越長(cháng)。BASiC基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET 優(yōu)于主流競品。 Crss：反向傳輸電容（Crss＝Cgd） ⇒柵極-漏極電容：Crss越小，漏極電流上升特性越好，這有利于MOSFET的損耗，在開(kāi)關(guān)過(guò)程中對切換時(shí)間起決定作用，高速驅動(dòng)需要低Crss。 Coss：輸出電容（Coss＝Cgd＋Cds）⇒柵極-漏極和漏極-源極電容之和：它影響關(guān)斷特性和輕載時(shí)的損耗。如果Coss較大，關(guān)斷dv／dt減小，這有利于噪聲。但輕載時(shí)的損耗增加。   基本™（BASiC Semiconductor）B2M第二代碳化硅MOSFET器件主要特色： • 比導通電阻降低40%左右 • Qg降低了60%左右 • 開(kāi)關(guān)損耗降低了約30% • 降低Coss參數，更適合軟開(kāi)關(guān) • 降低Crss，及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串擾行為下誤導通風(fēng)險 • 更大工作結溫175℃• HTRB、 HTGB+、 HTGB-可靠性按結溫Tj=175℃通過(guò)測試 • 優(yōu)化柵氧工藝，提高可靠性 • 高可靠性鈍化工藝 • 優(yōu)化終端環(huán)設計，降低高溫漏電流 • AEC-Q101   基本™（BASiC Semiconductor）推出工業(yè)級全碳化硅MOSFET功率模塊Pcore™2 E2B，BMF240R12E2G3基于高性能 6英寸晶圓平臺設計，在比導通電阻、開(kāi)關(guān)損耗、抗誤導通、抗雙極性退化等方面表現出色。   BMF240R12E2G3 BMF240R12E2C4可以替代英飛凌FF4MR12W2M1H_B70，FF6MR12W2M1HP_B11，FF6MR12W2M1H_B11，安森美NXH006P120MNF2，wolfspeed的CAB006A12GM3T，CAB006M12GM3T，CAB006M12GM3，CAB006A12GM3。     產(chǎn)品優(yōu)勢 - 更穩定導通電阻 新型內部構造極大抑制了碳化硅晶體缺陷引起的Rds(on)波動(dòng)。 - 更優(yōu)異抗噪特性 寬柵-源電壓范圍（Vgss: -10V~+25V），及更高閾值電壓范圍（Vth: 3V~5V），便于柵極驅動(dòng)設計。 - 更高可靠性 高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高溫焊料引入，改善長(cháng)期高溫度沖擊循環(huán)的CTE失配。   應用領(lǐng)域：燃料電池DCDC、數據中心UPS、大功率快速充電樁等。   傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)基本™（BASiC Semiconductor）國產(chǎn)車(chē)規級碳化硅(SiC)MOSFET，國產(chǎn)車(chē)規級AEC-Q101碳化硅(SiC)MOSFET，國產(chǎn)車(chē)規級PPAP碳化硅(SiC)MOSFET，全碳化硅MOSFET模塊，Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊，62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊，Full SiC Module，SiC MOSFET模塊適用于超級充電樁，V2G充電樁，高壓柔性直流輸電智能電網(wǎng)(HVDC)，空調熱泵驅動(dòng)，機車(chē)輔助電源，儲能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機，超高頻伺服驅動(dòng)器，高速電機變頻器等，光伏逆變器專(zhuān)用直流升壓模塊BOOST Module，儲能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊，光儲碳化硅MOSFET。專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)基本™（BASiC Semiconductor）SiC碳化硅MOSFET模塊及分立器件，全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展！   汽車(chē)級全碳化硅功率模塊是BASiC基本™（BASiC Semiconductor）為新能源汽車(chē)主逆變器應用需求而研發(fā)推出的系列MOSFET功率模塊產(chǎn)品，包括Pcore™6‍汽車(chē)級HPD模塊、‍Pcore™2‍汽車(chē)級DCM模塊、‍Pcore™1‍汽車(chē)級TPAK模塊、Pcore™2‍汽車(chē)級ED3模塊等，采用銀燒結技術(shù)等BASiC基本™（BASiC Semiconductor）更新的碳化硅 MOSFET 設計生產(chǎn)工藝，綜合性能達到國際先進(jìn)水平，通過(guò)提升動(dòng)力系統逆變器的轉換效率，進(jìn)而提高新能源汽車(chē)的能源效率和續航里程。主要產(chǎn)品規格有：BMS800R12HWC4_B02，BMS600R12HWC4_B01，BMS950R12HWC4_B02，BMS700R12HWC4_B01，BMS800R12HLWC4_B02，BMS600R12HLWC4_B01，BMS950R12HLWC4_B02，BMS700R12HLWC4_B01，BMF800R12FC4，BMF600R12FC4，BMF950R08FC4，BMF700R08FC4，BMZ200R12TC4，BMZ250R08TC4   傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)BASiC基本™（BASiC Semiconductor）碳化硅(SiC)MOSFET專(zhuān)用雙通道隔離驅動(dòng)芯片BTD25350，原方帶死區時(shí)間設置，副方帶米勒鉗位功能，為碳化硅功率器件SiC MOSFET驅動(dòng)而優(yōu)化。 BTD25350適用于以下碳化硅功率器件應用場(chǎng)景： 充電樁中后級LLC用SiC MOSFET 方案 光伏儲能BUCK-BOOST中SiC MOSFET方案 高頻APF，用兩電平的三相全橋SiC MOSFET方案 空調壓縮機三相全橋SiC MOSFET方案 OBC后級LLC中的SIC MOSFET方案 服務(wù)器交流側圖騰柱PFC高頻臂GaN或者SiC方案   碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領(lǐng)域更受關(guān)注的寬禁帶功率半導體器件。在電力電子系統中應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件，可提高功率回路開(kāi)關(guān)頻率，提升系統效率及功率密度，降低系統綜合成本。適用于高性能變換器電路與數字化先進(jìn)控制、高效率 DC/DC 拓撲與控制，雙向 AC/DC、電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電機（OBC）/雙向OBC、車(chē)載電源、集成化 OBC ，雙向 DC/DC、多端口 DC/DC 拓撲與控制，直流配網(wǎng)的電力電子變換器。   基本™（BASiC Semiconductor）第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺進(jìn)行開(kāi)發(fā)，比上一代產(chǎn)品在比導通電阻、開(kāi)關(guān)損耗以及可靠性等方面表現更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產(chǎn)品基礎上，基本™（BASiC Semiconductor）還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件，以更好地滿(mǎn)足客戶(hù)需求。   基本™（BASiC Semiconductor）第二代碳化硅MOSFET亮點(diǎn) 更低比導通電阻：第二代碳化硅MOSFET通過(guò)綜合優(yōu)化芯片設計方案，比導通電阻降低約40%，產(chǎn)品性能顯著(zhù)提升。   更低器件開(kāi)關(guān)損耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%，開(kāi)關(guān)損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串擾行為下誤導通的風(fēng)險。   更高可靠性：第二代碳化硅MOSFET通過(guò)更高標準的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，產(chǎn)品可靠性表現出色。   更高工作結溫：第二代碳化硅MOSFET工作結溫達到175°C，提高器件高溫工作能力。   碳化硅 (SiC) MOSFET出色的材料特性使得能夠設計快速開(kāi)關(guān)單極型器件，替代升級雙極型 IGBT  （絕緣柵雙極晶體管）開(kāi)關(guān)。碳化硅 (SiC) MOSFET替代IGBT可以得到更高的效率、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更少的散熱和節省空間——這些好處反過(guò)來(lái)也降低了總體系統成本。SiC-MOSFET的Vd-Id特性的導通電阻特性呈線(xiàn)性變化，在低電流時(shí)SiC-MOSFET比IGBT具有優(yōu)勢。 與IGBT相比，SiC-MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗可以大幅降低。采用硅 IGBT 的電力電子裝置有時(shí)不得不使用三電平拓撲來(lái)優(yōu)化效率。當改用碳化硅 (SiC) MOSFET時(shí)，可以使用簡(jiǎn)單的兩級拓撲。因此所需的功率元件數量實(shí)際上減少了一半。這不僅可以降低成本，還可以減少可能發(fā)生故障的組件數量。SiC MOSFET 不斷改進(jìn)，并越來(lái)越多地加速替代以 Si IGBT 為主的應用。 SiC MOSFET 幾乎可用于目前使用 Si IGBT 的任何需要更高效率和更高工作頻率的應用。這些應用范圍廣泛，從太陽(yáng)能和風(fēng)能逆變器和電機驅動(dòng)到感應加熱系統和高壓 DC/DC 轉換器。   隨著(zhù)自動(dòng)化制造、電動(dòng)汽車(chē)、先進(jìn)建筑系統和智能電器等行業(yè)的發(fā)展，對增強這些機電設備的控制、效率和功能的需求也在增長(cháng)。碳化硅 MOSFET (SiC MOSFET) 的突破重新定義了歷史上使用硅 IGBT (Si IGBT) 進(jìn)行功率逆變的電動(dòng)機的功能。這項創(chuàng )新擴展了幾乎每個(gè)行業(yè)的電機驅動(dòng)應用的能力。Si IGBT 因其高電流處理能力、快速開(kāi)關(guān)速度和低成本而歷來(lái)用于直流至交流電機驅動(dòng)應用。更重要的是，Si IGBT 具有高額定電壓、低電壓降、低電導損耗和熱阻抗，使其成為制造系統等高功率電機驅動(dòng)應用的明顯選擇。然而，Si IGBT 的一個(gè)顯著(zhù)缺點(diǎn)是它們非常容易受到熱失控的影響。當器件溫度不受控制地升高時(shí)，就會(huì )發(fā)生熱失控，導致器件發(fā)生故障并更終失效。在高電流、電壓和工作條件常見(jiàn)的電機驅動(dòng)應用中，例如電動(dòng)汽車(chē)或制造業(yè)，熱失控可能是一個(gè)重大的設計風(fēng)險。   電力電子轉換器提高開(kāi)關(guān)頻率一直是研發(fā)索所追求的方向，因為相關(guān)組件（特別是磁性元件）可以更小，從而產(chǎn)生小型化優(yōu)勢并節省成本。然而，所有器件的開(kāi)關(guān)損耗都與頻率成正比。IGBT 由于“拖尾電流”以及較高的門(mén)極電容的充電/放電造成的功率損耗，IGBT 很少在 20KHz 以上運行。SiC MOSFET在更快的開(kāi)關(guān)速度和更低的功率損耗方面提供了巨大的優(yōu)勢。IGBT 經(jīng)過(guò)多年的高度改進(jìn)，使得實(shí)現性能顯著(zhù)改進(jìn)變得越來(lái)越具有挑戰性。例如，很難降低總體功率損耗，因為在傳統的 IGBT 設計中，降低傳導損耗通常會(huì )導致開(kāi)關(guān)損耗增加。   作為應對這一設計挑戰的解決方案，SiC MOSFET 具有更強的抗熱失控能力。碳化硅 的導熱性更好，可以實(shí)現更好的設備級散熱和穩定的工作溫度。SiC MOSFET 更適合較溫暖的環(huán)境條件空間，例如汽車(chē)和工業(yè)應用。此外，鑒于其導熱性，SiC MOSFET 可以消除對額外冷卻系統的需求，從而有可能減小總體系統尺寸并降低系統成本。   由于 SiC MOSFET 的工作開(kāi)關(guān)頻率比 Si IGBT 高得多，因此它們非常適合需要精確電機控制的應用。高開(kāi)關(guān)頻率在自動(dòng)化制造中至關(guān)重要，高精度伺服電機用于工具臂控制、精密焊接和精確物體放置。此外，與 Si IGBT 電機驅動(dòng)器系統相比，SiC MOSFET 的一個(gè)顯著(zhù)優(yōu)勢是它們能夠嵌入電機組件中，電機控制器和逆變器嵌入與電機相同的外殼內。使用SiC MOSFET 作為變頻器或者伺服驅動(dòng)功率開(kāi)關(guān)器件的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，由于 MOSFET 的線(xiàn)性損耗與負載電流的關(guān)系，它可以在所有功率級別保持效率曲線(xiàn)“平坦”。SiC MOSFET變頻伺服驅動(dòng)器的柵極電阻的選擇是為了首先避免使用外部輸出濾波器，以保護電機免受高 dv/dt 的影響（只有電機電纜長(cháng)度才會(huì )衰減 dv/dt）。 SiC MOSFET變頻伺服驅動(dòng)器相較于IGBT變頻伺服驅動(dòng)器在高開(kāi)關(guān)頻率下的巨大效率優(yōu)越性.   盡管 SiC MOSFET 本身成本較高，但某些應用可能會(huì )看到整個(gè)電機驅動(dòng)器系統的價(jià)格下降（通過(guò)減少布線(xiàn)、無(wú)源元件、熱管理等），并且與 Si IGBT 系統相比總體上可能更便宜。這種成本節省可能需要在兩個(gè)應用系統之間進(jìn)行復雜的設計和成本研究分析，但可能會(huì )提高效率并節省成本?；?SiC 的逆變器使電壓高達 800 V 的電氣系統能夠顯著(zhù)延長(cháng)電動(dòng)汽車(chē)續航里程并將充電時(shí)間縮短一半。   碳化硅 (SiC) MOSFET功率半導體技術(shù)代表了電力電子領(lǐng)域的根本性變革。SiC MOSFET 的價(jià)格比 Si MOSFET 或 Si IGBT 貴。然而，在評估碳化硅 (SiC) MOSFET提供的整體電力電子系統價(jià)值時(shí)，需要考慮整個(gè)電力電子系統和節能潛力。需要仔細考慮以下電力電子系統節?。?第一降低無(wú)源元件成本，無(wú)源功率元件的成本在總體BOM成本中占主導地位。提高開(kāi)關(guān)頻率提供了一種減小這些器件的尺寸和成本的方法。 第二降低散熱要求，使用碳化硅 (SiC) MOSFET可顯著(zhù)降低散熱器溫度高達 50%，從而縮小散熱器尺寸和/或消除風(fēng)扇，從而降低設備生命周期內的能源成本。 通常的誘惑是在計算價(jià)值主張時(shí)僅考慮系統的組件和制造成本。在考慮碳化硅 (SiC) MOSFET的在電力電子系統里的價(jià)值時(shí)，考慮節能非常重要。在電力電子設備的整個(gè)生命周期內節省能源成本是碳化硅 (SiC) MOSFET價(jià)值主張的一個(gè)重要部分。