傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)基本™（BASiC Semiconductor）碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本™碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本™單管IGBT，BASiC基本™IGBT模塊，BASiC基本™三電平IGBT模塊，BASiC基本™I型三電平IGBT模塊，BASiC基本™T型三電平IGBT模塊，BASiC基本™混合SiC-IGBT單管，BASiC基本™混合SiC-IGBT模塊，單通道隔離驅動(dòng)芯片BTD5350,雙通道隔離驅動(dòng)芯片BTD21520,單通道隔離驅動(dòng)芯片（帶VCE保護）BTD3011,BASiC基本™混合SiC-IGBT三電平模塊應用于光伏逆變器，雙向AC-DC電源，戶(hù)用光伏逆變器，戶(hù)用光儲一體機，儲能變流器，儲能PCS,雙向LLC電源模塊，儲能PCS-Buck-Boost電路，光儲一體機,PCS雙向變流器，三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓撲等新能源領(lǐng)域。在光伏逆變器、光儲一體機、儲能變流器PCS、OBC車(chē)載充電器，熱管理電動(dòng)壓縮機驅動(dòng)器，射頻電源，PET電力電子變壓器，氫燃料空壓機驅動(dòng)，大功率工業(yè)電源，工商業(yè)儲能變流器，變頻器，變槳伺服驅動(dòng)輔助電源，高頻逆變焊機，高頻伺服驅動(dòng)，AI服務(wù)器電源，算力電源，數據中心電源，機房UPS等領(lǐng)域與客戶(hù)戰略合作，傾佳電子（Changer Tech）全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展！   傾佳電子（Changer Tech）致力于國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場(chǎng)的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!   傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)基本™（BASiC Semiconductor）隔離驅動(dòng)IC產(chǎn)品主要有BTD21520xx是一款雙通道隔離門(mén)極驅動(dòng)芯片，輸出拉灌峰值電流典型值4A/6A，絕緣電壓高達5000Vrms@SOW14封裝、3000Vrms@SOP16封裝；抗干擾能力強，高達100V/ns；低傳輸延時(shí)至45ns；分別提供 3 種管腳配置：BTD21520M提供禁用管腳（DIS）和死區設置（DT）,BTD21520S提供禁用管腳（DIS)， BTD21520E 提供單一PWM輸入；副邊VDD欠壓保護點(diǎn)兩種可選：分別是5.7V和8.2V。主要規格有BTD21520MAWR，BTD21520MBWR，BTD21520SAWR，BTD21520SBWR，BTD21520EAWR，BTD21520EBWR，‍BTD21520MAPR，BTD21520MBPR，BTD21520SAPR，BTD21520SBPR，BTD21520EAPR，BTD21520EBPR，BTD5350xx是一款單通道隔離門(mén)極驅動(dòng)IC，輸出峰值電流典型值10A, 絕緣電壓高達5000Vrms@SOW8封裝，3000Vrms@SOP8封裝；抗干擾能力強，高達100V/ns；傳輸延時(shí)低至60ns；分別提供 3 種管腳配置：BTD5350M 提供門(mén)極米勒鉗位功能，BTD5350S 提供獨立的開(kāi)通和關(guān)斷輸出管腳，BTD5350E 對副邊的正電源配置欠壓保護功能；副邊VCC欠壓保護點(diǎn)兩種可選：分別是8V和11V。主要規格有BTD5350MBPR，BTD5350MCPR，BTD5350MBWR，BTD5350MCWR，BTD5350SBPR，BTD5350SCPR，BTD5350SBWR‍，BTD5350SCWR，BTD5350EBPR，BTD5350ECPR，BTD5350EBWR，BTD5350ECWR，BTD3011R是一款單通道智能隔離門(mén)極驅動(dòng)芯片，采用磁隔離技術(shù)；絕緣電壓高達5000Vrms@SOW16封裝；輸出峰值電流典型值15A；管腳功能集成功率器件短路保護和短路保護后軟關(guān)斷功能，集成原副邊電源欠壓保護；集成副邊電源穩壓器功能，此穩壓器可以根據副邊電源輸入電壓，使驅動(dòng)管腳自動(dòng)分配正負壓，適用在給電壓等級1200V以?xún)鹊腎GBT或者碳化硅 MOSFET驅動(dòng)。BTL2752x 系列是一款雙通道、高速、低邊門(mén)極驅動(dòng)器，輸出側采用軌到軌方式；拉電流與灌電流能力可高達 5A，上升和下降時(shí)間低至 7ns 與 6ns；芯片的兩個(gè)通道可并聯(lián)使用，以增強驅動(dòng)電流能力；信號輸入腳更大可抗-5V的持續負壓，支持4個(gè)標準邏輯選項：BTL27523帶使能雙路反相，BTL27523B不帶使能雙路反相 和 BTL27524帶使能雙路同相，BTL27524B不帶使能雙路同相。主要規格：BTL27523R，BTL27523BR，BTL27524R，BTL27524BR   傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)基本™（BASiC Semiconductor）國產(chǎn)車(chē)規級碳化硅(SiC)MOSFET，國產(chǎn)車(chē)規級AEC-Q101碳化硅(SiC)MOSFET，國產(chǎn)車(chē)規級PPAP碳化硅(SiC)MOSFET，全碳化硅MOSFET模塊，Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊，62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊，Full SiC Module，SiC MOSFET模塊適用于超級充電樁，V2G充電樁，高壓柔性直流輸電智能電網(wǎng)(HVDC)，空調熱泵驅動(dòng)，機車(chē)輔助電源，儲能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機，超高頻伺服驅動(dòng)器，高速電機變頻器等，光伏逆變器專(zhuān)用直流升壓模塊BOOST Module，儲能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊，光儲碳化硅MOSFET。專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)基本™SiC碳化硅MOSFET模塊及分立器件，全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展！   汽車(chē)級全碳化硅功率模塊是基本™（BASiC Semiconductor）為新能源汽車(chē)主逆變器應用需求而研發(fā)推出的系列MOSFET功率模塊產(chǎn)品，包括Pcore™6‍汽車(chē)級HPD模塊、‍Pcore™2‍汽車(chē)級DCM模塊、‍Pcore™1‍汽車(chē)級TPAK模塊、Pcore™2‍汽車(chē)級ED3模塊等，采用銀燒結技術(shù)等BASiC基本™更新的碳化硅 MOSFET 設計生產(chǎn)工藝，綜合性能達到國際先進(jìn)水平，通過(guò)提升動(dòng)力系統逆變器的轉換效率，進(jìn)而提高新能源汽車(chē)的能源效率和續航里程。主要產(chǎn)品規格有：BMS800R12HWC4_B02，BMS600R12HWC4_B01，BMS950R12HWC4_B02，BMS700R12HWC4_B01，BMS800R12HLWC4_B02，BMS600R12HLWC4_B01，BMS950R12HLWC4_B02，BMS700R12HLWC4_B01，BMF800R12FC4，BMF600R12FC4，BMF950R08FC4，BMF700R08FC4，BMZ200R12TC4，BMZ250R08TC4   傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)BASiC基本™碳化硅(SiC)MOSFET專(zhuān)用雙通道隔離驅動(dòng)芯片BTD25350，原方帶死區時(shí)間設置，副方帶米勒鉗位功能，為碳化硅功率器件SiC MOSFET驅動(dòng)而優(yōu)化。 BTD25350適用于以下碳化硅功率器件應用場(chǎng)景： 充電樁中后級LLC用SiC MOSFET 方案 光伏儲能BUCK-BOOST中SiC MOSFET方案 高頻APF，用兩電平的三相全橋SiC MOSFET方案 空調壓縮機三相全橋SiC MOSFET方案 OBC后級LLC中的SIC MOSFET方案 服務(wù)器交流側圖騰柱PFC高頻臂GaN或者SiC方案   基本™（BASiC Semiconductor）再度亮相全球功率半導體展會(huì )——PCIM Europe 2023，在德國紐倫堡正式發(fā)布第二代碳化硅MOSFET新品。新一代產(chǎn)品性能大幅提升，產(chǎn)品類(lèi)型進(jìn)一步豐富，助力新能源汽車(chē)、直流快充、光伏儲能、工業(yè)電源、通信電源等行業(yè)實(shí)現更為出色的能源效率和應用可靠性。   國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET可靠性及一致性如何確保？ 電力電子系統研發(fā)制造商一般需要碳化硅MOSFET功率器件批發(fā)商提供可靠性測試報告的原始數據對比和器件封裝的FT數據。 SiC碳化硅MOSFET可靠性報告原始數據主要來(lái)自以下可靠性測試環(huán)節的測試前后的數據對比，通過(guò)對齊可靠性報告原始數據測試前后漂移量的對比，從而反映器件的可靠性控制標準及真實(shí)的可靠性裕量。SiC碳化硅MOSFET可靠性報告原始數據主要包括以下數據: SiC碳化硅MOSFET高溫反偏High Temperature Reverse Bias HTRB Tj=175℃VDS=100%BV SiC碳化硅MOSFET高溫柵偏（正壓）High Temperature Gate Bias（+） HTGB（+） Tj=175℃VGS=22V SiC碳化硅MOSFET高溫柵偏（負壓）High Temperature Gate Bias（-） HTGB（-） Tj=175℃VGS=-8V SiC碳化硅MOSFET高壓高濕高溫反偏High Voltage, High Humidity, High Temp. Reverse Bias HV-H3TRB Ta=85℃RH=85%VDS=80%BV SiC碳化硅MOSFET高壓蒸煮Autoclave AC Ta=121℃RH=100%15psig SiC碳化硅MOSFET溫度循環(huán)Temperature Cycling TC -55℃ to 150℃ SiC碳化硅MOSFET間歇工作壽命Intermittent Operational Life IOL △Tj≥100℃Ton=2minToff=2min FT數據來(lái)自碳化硅MOSFET功率器件FT測試(Final Test，也稱(chēng)為FT)是對已制造完成的碳化硅MOSFET功率器件進(jìn)行結構及電氣功能確認，以保證碳化硅MOSFET功率器件符合系統的需求。 通過(guò)分析碳化硅MOSFET功率器件FT數據的關(guān)鍵數據（比如V(BR)DSS，VGS(th)，RDS(on)， IDSS）的正態(tài)分布，可以定性碳化硅MOSFET功率器件材料及制程的穩定性，這些數據的定性對電力電子系統設計及大批量制造的穩定性也非常關(guān)鍵。   傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)的基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET兩大主要特色：   1.出類(lèi)拔萃的可靠性：相對競品較為充足的設計余量來(lái)確保大規模制造時(shí)的器件可靠性。 BASiC基本™第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列擊穿電壓BV值實(shí)測在1700V左右，高于市面主流競品，擊穿電壓BV設計余量可以抵御碳化硅襯底外延材料及晶圓流片制程的擺動(dòng)，能夠確保大批量制造時(shí)的器件可靠性，這是BASiC基本™第二代SiC碳化硅MOSFET更關(guān)鍵的品質(zhì). BASiC基本™第二代SiC碳化硅MOSFET雪崩耐量裕量相對較高，也增強了在電力電子系統應用中的可靠性。   2.可圈可點(diǎn)的器件性能：同規格較小的Crss帶來(lái)出色的開(kāi)關(guān)性能。 BASiC基本™第二代SiC碳化硅MOSFET反向傳輸電容Crss 在市面主流競品中是比較小的，帶來(lái)關(guān)斷損耗Eoff也是市面主流產(chǎn)品中非常出色的，優(yōu)于部分海外競品，特別適用于LLC應用，典型應用如充電樁電源模塊后級DC-DC應用。   Basic™ (BASiC Semiconductor) second generation SiC silicon carbide MOSFET has two main features: 1. Outstanding reliability: Compared with competing products, there is sufficient design margin to ensure device reliability during mass manufacturing. The breakdown voltage BV value of BASiC Semiconductor's second-generation SiC silicon carbide MOSFET 1200V series is measured to be around 1700V, which is higher than mainstream competing products on the market. The breakdown voltage BV design margin can withstand silicon carbide substrate epitaxial materials and wafers. The swing of the tape-out process can ensure device reliability during mass manufacturing, which is the most critical quality of BASiC Semiconductor’s second-generation SiC silicon carbide MOSFET. BASiC Semiconductor’s second-generation SiC silicon carbide MOSFET The relatively high avalanche tolerance margin also enhances reliability in power electronic system applications. 2. Remarkable device performance: Smaller Crss with the same specifications brings excellent switching performance. BASiC Semiconductor's second-generation SiC silicon carbide MOSFET reverse transmission capacitor Crss is relatively small among mainstream competing products on the market, and its turn-off loss Eoff is also very good among mainstream products on the market, better than some overseas competing products. , especially suitable for LLC applications, typical applications such as charging pile power module downstream DC-DC applications.   Ciss：輸入電容（Ciss＝Cgd＋Cgs） ⇒柵極-漏極和柵極-源極電容之和：它影響延遲時(shí)間；Ciss越大，延遲時(shí)間越長(cháng)。BASiC基本™第二代SiC碳化硅MOSFET 優(yōu)于主流競品。 Crss：反向傳輸電容（Crss＝Cgd） ⇒柵極-漏極電容：Crss越小，漏極電流上升特性越好，這有利于MOSFET的損耗，在開(kāi)關(guān)過(guò)程中對切換時(shí)間起決定作用，高速驅動(dòng)需要低Crss。 Coss：輸出電容（Coss＝Cgd＋Cds）⇒柵極-漏極和漏極-源極電容之和：它影響關(guān)斷特性和輕載時(shí)的損耗。如果Coss較大，關(guān)斷dv／dt減小，這有利于噪聲。但輕載時(shí)的損耗增加。   傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)的基本™（BASiC Semiconductor）B2M第二代碳化硅MOSFET器件主要特色： • 比導通電阻降低40%左右 • Qg降低了60%左右 • 開(kāi)關(guān)損耗降低了約30% • 降低Coss參數，更適合軟開(kāi)關(guān) • 降低Crss，及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串擾行為下誤導通風(fēng)險 • 更大工作結溫175℃• HTRB、 HTGB+、 HTGB-可靠性按結溫Tj=175℃通過(guò)測試 • 優(yōu)化柵氧工藝，提高可靠性 • 高可靠性鈍化工藝 • 優(yōu)化終端環(huán)設計，降低高溫漏電流 • AEC-Q101   碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領(lǐng)域更受關(guān)注的寬禁帶功率半導體器件。在電力電子系統中應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件，可提高功率回路開(kāi)關(guān)頻率，提升系統效率及功率密度，降低系統綜合成本。適用于高性能變換器電路與數字化先進(jìn)控制、高效率 DC/DC 拓撲與控制，雙向 AC/DC、電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電機（OBC）/雙向OBC、車(chē)載電源、集成化 OBC ，雙向 DC/DC、多端口 DC/DC 拓撲與控制，直流配網(wǎng)的電力電子變換器。SiC MOSFET越來(lái)越多地用于高壓電源轉換器，因為它們可以滿(mǎn)足這些應用對尺寸、重量和/或效率的嚴格要求.   碳化硅 (SiC) MOSFET功率半導體技術(shù)代表了電力電子領(lǐng)域的根本性變革。SiC MOSFET 的價(jià)格比 Si MOSFET 或 Si IGBT 貴。然而，在評估碳化硅 (SiC) MOSFET提供的整體電力電子系統價(jià)值時(shí)，需要考慮整個(gè)電力電子系統和節能潛力。需要仔細考慮以下電力電子系統節?。?第一降低無(wú)源元件成本，無(wú)源功率元件的成本在總體BOM成本中占主導地位。提高開(kāi)關(guān)頻率提供了一種減小這些器件的尺寸和成本的方法。 第二降低散熱要求，使用碳化硅 (SiC) MOSFET可顯著(zhù)降低散熱器溫度高達 50%，從而縮小散熱器尺寸和/或消除風(fēng)扇，從而降低設備生命周期內的能源成本。 通常的誘惑是在計算價(jià)值主張時(shí)僅考慮系統的組件和制造成本。在考慮碳化硅 (SiC) MOSFET的在電力電子系統里的價(jià)值時(shí)，考慮節能非常重要。在電力電子設備的整個(gè)生命周期內節省能源成本是碳化硅 (SiC) MOSFET價(jià)值主張的一個(gè)重要部分。   傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)的基本™第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺進(jìn)行開(kāi)發(fā)，比上一代產(chǎn)品在比導通電阻、開(kāi)關(guān)損耗以及可靠性等方面表現更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產(chǎn)品基礎上，基本™還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件，以更好地滿(mǎn)足客戶(hù)需求。   基本™第二代碳化硅MOSFET亮點(diǎn) 更低比導通電阻：第二代碳化硅MOSFET通過(guò)綜合優(yōu)化芯片設計方案，比導通電阻降低約40%，產(chǎn)品性能顯著(zhù)提升。   更低器件開(kāi)關(guān)損耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%，開(kāi)關(guān)損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串擾行為下誤導通的風(fēng)險。   更高可靠性：第二代碳化硅MOSFET通過(guò)更高標準的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，產(chǎn)品可靠性表現出色。   更高工作結溫：第二代碳化硅MOSFET工作結溫達到175°C，提高器件高溫工作能力。   傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)的基本™第二代碳化硅SiC MOSFET主要有B2M160120H，B2M160120Z，B2M160120R，B2M080120H,B2M080120Z，B2M80120R，B2M018120H，B2M018120Z，B2M020120Y，B2M065120H，B2M065120Z，B2M065120R，B2M040120H，B2M040120Z，B2M040120R，B2M032120Y，B2M018120Z。適用大功率電力電子裝置的SiC MOSFET模塊，半橋SiC MOSFET模塊，ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊，T型三電平模塊，MPPT BOOST SiC MOSFET模塊。 B2M032120Y國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R030M1H，安森美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K。 B2M040120Z國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R040M1H，安森美NTH4L040N120M3S，NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K，意法SCT040W120G3-4AG。 B2M020120Y國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R020M1H，安森美NTH4L020N120SC1，NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K，意法SCT015W120G3-4AG。 B2M1000170R國產(chǎn)代替英飛凌IMBF170R1K0M1，安森美NTBG1000N170M1以及C2M1000170J。 B2M065120H國產(chǎn)代替安森美NTHL070N120M3S。 B2M065120Z國產(chǎn)代替英飛凌IMZ120R060M1H，安森美NVH4L070N120M3S，C3M0075120K-A，意法SCT070W120G3-4AG。   碳化硅 (SiC) MOSFET出色的材料特性使得能夠設計快速開(kāi)關(guān)單極型器件，替代升級雙極型 IGBT  （絕緣柵雙極晶體管）開(kāi)關(guān)。碳化硅 (SiC) MOSFET替代IGBT可以得到更高的效率、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更少的散熱和節省空間——這些好處反過(guò)來(lái)也降低了總體系統成本。SiC-MOSFET的Vd-Id特性的導通電阻特性呈線(xiàn)性變化，在低電流時(shí)SiC-MOSFET比IGBT具有優(yōu)勢。 與IGBT相比，SiC-MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗可以大幅降低。采用硅 IGBT 的電力電子裝置有時(shí)不得不使用三電平拓撲來(lái)優(yōu)化效率。當改用碳化硅 (SiC) MOSFET時(shí)，可以使用簡(jiǎn)單的兩級拓撲。因此所需的功率元件數量實(shí)際上減少了一半。這不僅可以降低成本，還可以減少可能發(fā)生故障的組件數量。SiC MOSFET 不斷改進(jìn)，并越來(lái)越多地加速替代以 Si IGBT 為主的應用。 SiC MOSFET 幾乎可用于目前使用 Si IGBT 的任何需要更高效率和更高工作頻率的應用。這些應用范圍廣泛，從太陽(yáng)能和風(fēng)能逆變器和電機驅動(dòng)到感應加熱系統和高壓 DC/DC 轉換器。   隨著(zhù)自動(dòng)化制造、電動(dòng)汽車(chē)、先進(jìn)建筑系統和智能電器等行業(yè)的發(fā)展，對增強這些機電設備的控制、效率和功能的需求也在增長(cháng)。碳化硅 MOSFET (SiC MOSFET) 的突破重新定義了歷史上使用硅 IGBT (Si IGBT) 進(jìn)行功率逆變的電動(dòng)機的功能。這項創(chuàng )新擴展了幾乎每個(gè)行業(yè)的電機驅動(dòng)應用的能力。Si IGBT 因其高電流處理能力、快速開(kāi)關(guān)速度和低成本而歷來(lái)用于直流至交流電機驅動(dòng)應用。更重要的是，Si IGBT 具有高額定電壓、低電壓降、低電導損耗和熱阻抗，使其成為制造系統等高功率電機驅動(dòng)應用的明顯選擇。然而，Si IGBT 的一個(gè)顯著(zhù)缺點(diǎn)是它們非常容易受到熱失控的影響。當器件溫度不受控制地升高時(shí)，就會(huì )發(fā)生熱失控，導致器件發(fā)生故障并更終失效。在高電流、電壓和工作條件常見(jiàn)的電機驅動(dòng)應用中，例如電動(dòng)汽車(chē)或制造業(yè)，熱失控可能是一個(gè)重大的設計風(fēng)險。   電力電子轉換器提高開(kāi)關(guān)頻率一直是研發(fā)索所追求的方向，因為相關(guān)組件（特別是磁性元件）可以更小，從而產(chǎn)生小型化優(yōu)勢并節省成本。然而，所有器件的開(kāi)關(guān)損耗都與頻率成正比。IGBT 由于“拖尾電流”以及較高的門(mén)極電容的充電/放電造成的功率損耗，IGBT 很少在 20KHz 以上運行。SiC MOSFET在更快的開(kāi)關(guān)速度和更低的功率損耗方面提供了巨大的優(yōu)勢。IGBT 經(jīng)過(guò)多年的高度改進(jìn)，使得實(shí)現性能顯著(zhù)改進(jìn)變得越來(lái)越具有挑戰性。例如，很難降低總體功率損耗，因為在傳統的 IGBT 設計中，降低傳導損耗通常會(huì )導致開(kāi)關(guān)損耗增加。   作為應對這一設計挑戰的解決方案，SiC MOSFET 具有更強的抗熱失控能力。碳化硅 的導熱性更好，可以實(shí)現更好的設備級散熱和穩定的工作溫度。SiC MOSFET 更適合較溫暖的環(huán)境條件空間，例如汽車(chē)和工業(yè)應用。此外，鑒于其導熱性，SiC MOSFET 可以消除對額外冷卻系統的需求，從而有可能減小總體系統尺寸并降低系統成本。   由于 SiC MOSFET 的工作開(kāi)關(guān)頻率比 Si IGBT 高得多，因此它們非常適合需要精確電機控制的應用。高開(kāi)關(guān)頻率在自動(dòng)化制造中至關(guān)重要，高精度伺服電機用于工具臂控制、精密焊接和精確物體放置。此外，與 Si IGBT 電機驅動(dòng)器系統相比，SiC MOSFET 的一個(gè)顯著(zhù)優(yōu)勢是它們能夠嵌入電機組件中，電機控制器和逆變器嵌入與電機相同的外殼內。使用SiC MOSFET 作為變頻器或者伺服驅動(dòng)功率開(kāi)關(guān)器件的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，由于 MOSFET 的線(xiàn)性損耗與負載電流的關(guān)系，它可以在所有功率級別保持效率曲線(xiàn)“平坦”。SiC MOSFET變頻伺服驅動(dòng)器的柵極電阻的選擇是為了首先避免使用外部輸出濾波器，以保護電機免受高 dv/dt 的影響（只有電機電纜長(cháng)度才會(huì )衰減 dv/dt）。 SiC MOSFET變頻伺服驅動(dòng)器相較于IGBT變頻伺服驅動(dòng)器在高開(kāi)關(guān)頻率下的巨大效率優(yōu)越性.   盡管 SiC MOSFET 本身成本較高，但某些應用可能會(huì )看到整個(gè)電機驅動(dòng)器系統的價(jià)格下降（通過(guò)減少布線(xiàn)、無(wú)源元件、熱管理等），并且與 Si IGBT 系統相比總體上可能更便宜。這種成本節省可能需要在兩個(gè)應用系統之間進(jìn)行復雜的設計和成本研究分析，但可能會(huì )提高效率并節省成本?；?SiC 的逆變器使電壓高達 800 V 的電氣系統能夠顯著(zhù)延長(cháng)電動(dòng)汽車(chē)續航里程并將充電時(shí)間縮短一半。   LLC，移相全橋等應用實(shí)現ZVS主要和Coss、關(guān)斷速度和體二極管壓降等參數有關(guān)。Coss決定所需諧振電感儲能的大小，值越大越難實(shí)現ZVS；更快的關(guān)斷速度可以減少對儲能電感能量的消耗，影響體二極管的續流維持時(shí)間或者開(kāi)關(guān)兩端電壓能達到的更低值；因為續流期間的主要損耗為體二極管的導通損耗.在這些參數方面，B2M第二代碳化硅MOSFET跟競品比，B2M第二代碳化硅MOSFET的Coss更小，需要的死區時(shí)間初始電流??；B2M第二代碳化硅MOSFET抗側向電流觸發(fā)寄生BJT的能力會(huì )強一些。B2M第二代碳化硅MOSFET體二極管的Vf和trr 比競品有較多優(yōu)勢，能減少LLC里面Q2的硬關(guān)斷的風(fēng)險。綜合來(lái)看，比起競品，LLC，移相全橋應用中B2M第二代碳化硅MOSFET表現會(huì )更好.